长鑫存储申请半博鱼·体育官网导体结构及其制备方法专利提高了半导体结构的性能

　　博鱼金融界2024年5月7日消息，据国家知识产权局公告博鱼·体育官网，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“，公开号CN117995883A，申请日期为2022年10月。

　　专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决栅极结构对不同区域的沟道区的控制能力存在差异的技术问题博鱼·体育官网，该半导体结构包括具有栅极沟槽的基底、栅极结构和沟道区。沟道区第一沟道区和第二沟道区，第一沟道区包裹栅极沟槽的底部，第二沟道区包裹第一沟道区以及未被第一沟道区包裹的栅极沟槽的侧壁；第一沟道区中载流子迁移率小于第二沟道区中载流子迁移率。本公开用于降低栅极结构对第一沟道区的开启或者关闭的灵敏度，进而均衡栅极结构对第一沟道区和第二沟道区的控制灵敏度差异，提高了半导体结构的性能。

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